发明专利|置信电气:闭口立体卷铁心变压器低压线绕出线设计方法

文学经典2025-07-02 09:01:06Read times

身体黝黑,发明法毛短而浓密,非常有弹性,全身披有短褐色斑纹。

由于MIs在TMD底物上的外延特性,专利|置大多数MCs可以通过所提出的两步生长过程在TMD上外延形成,取代反应后获得的MCs在TMDs上仍保持外延特征。四、信电线设【数据概览】图1低温下生长的2DMC晶体库 a)简化的元素周期表,信电线设显示了金属(粉红色)和硫原(黄色)组合,通过所提出的低温生长策略,可以形成二维MC(硫化物、硒化物和碲化物)。

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需要注意的是,气闭器低一些异质结构中形成的共度超晶格表明存在晶格应变,而在别处被报道的配位键可能是一个因素。a)通过AFM尖端在TMD上滑动MCs的过程示意图;b)通过AFM滑动In2S3后,口立底层单层WS2的HAADF-STEM图像;c)在与b相同的成像条件下,口立模拟单层WS2的STEM图像;d-e)在TMD模板上生长的基于In2S3的光电探测器阵列的示意图以及光学图像;f)与文献报道的基于In2S3的光电探测器的响应率和探测率的比较©2023TheAuthors图4 不同2DMCs在同一晶片上低温生长集成过程。由于具有低温生长能力,体卷铁心可以通过使用物理掩模对MIs的生长区域的控制实现不同的MC阵列。

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  根据密度泛函理论计算,变压所涉及的MIs到MCs的替代势垒大约为0.2-0.5eV,容易被热能克服。a)多层SnS2/单层WS2结构的横断面HAADF-STEM图像;b)a中白色矩形标记区域的W、压线Sn和Al的元素映射;c)原子分辨的SnS2/WS2界面的横截面HAADF-STEM图像,压线其中白色虚线表示异质界面;d)c中强度分布水平平均。

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因此,绕出可以在TMD晶片上生长一系列MC,这种集成策略也适用于有机半导体的生长(例如有机钙钛矿)。

计方原文详情:https://doi.org/10.1038/s41565-023-01326-1本文由meiweifengmaozi供稿。尘世巨蟒中间世界/中庭/米德加尔特,发明法它是人类居住的地方。

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